Um noch mehr Speicherdichte und Kapazität zu gewinnen, sind dreidimensionale Speichermedien angesagt, bei denen die Zellenmatrix nicht nur horizontal, sondern auch vertikal angeordnet ist. Diese komplexe Technologie wurde bisher von Samsung praktiziert. Jetzt wollen auch Toshiba und Canon in einer Kooperation diese Technologie nutzen.
Nachdem Samsung im vergangenen Jahr 3D V-NAND-basierte SSDs für Rechenzentren vorgestellt hat, dehnt es jetzt sein Angebot an V-NAND SSDs auf High-End PC-Anwendungen aus und erweitert somit seine Marktbasis. Samsung hat nun mit der Massenproduktion des industrieweit ersten dreidimensionalen (3D) V-NAND Flash-Speichers mit 32 vertikal gestapelten Zellenlagen begonnen.
Samsung startet die Massenproduktion des industrieweit ersten 3D V-NAND Flash-Speichers in zweiter Generation mit 32 Lagen (Foto: Samsung)
Bei dem 32-lagigem 3D V-NAND von Samsung – auch als Vertical NAND bezeichnet – ist zum Stapeln der Zellenmatrix eine komplexere Entwicklungstechnologie als beim bisherigen V-NAND mit 24 Lagen erforderlich. Darüber hinaus hat Samsung ein Angebot an Premium SSDs herausgebracht, die auf V-NAND Flash-Speicher der zweiten Generation basieren und über 128 Gigabyte (GB), 256 GB, 512 GB und 1 TB verfügen.
Wie japanische Medien berichten, entwickeln nun Toshiba und Canon gemeinsam ihre 3D-Flashspeicher Technologie. Toshiba wird 2016 mit der Produktion in ihrem japanischen Werk in Yokkaichi beginnen, während mit den 3D-Speicherelementen von Canon erst 2017 gerechnet werden kann. Canon und Toshiba haben sich abgeblich zum Ziel gesetzt, bis 2019 die SSD-Speicherkapazität mit 3D-Speicherelementen von einem Terrabyte auf den Markt zu bringen.
Quellen: presseportal.ch / PEN-Weekly
